Samsung MZWLO1T9HCJR-00A07

Доступно: 15

+ -

	Форм-фактор	2.5"
	Интерфейс	U.3
	Ёмкость накопителя	1920
	Скорость последовательного чтения	14000
	Скорость последовательной записи	3000
	Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)	2000000
	Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)	150000
	Средняя наработка на отказ	2000000
	TBW твердотельного накопителя	3504
	DRAM буфер